IXYS IXGP20N120B3 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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Produit de remplacement

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presentation
onsemi NGTG15N60S1EG IGBT, 30 A 600 V, 4-Pin TO-220, Through Hole
N° de stock RS
769-5810

L'unité (en paquet de 2)

1,365 €

(TVA exclue)

1,652 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:
791-7425
Référence fabricant:
IXGP20N120B3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

180 W

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

20kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.66 x 4.83 x 16mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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