IXYS IXGP20N120B3, Type N-Channel IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- N° de stock RS:
- 791-7425
- Référence fabricant:
- IXGP20N120B3
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
12,50 €
(TVA exclue)
15,12 €
(TVA incluse)
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,25 € | 12,50 € |
| 10 - 18 | 5,47 € | 10,94 € |
| 20 - 48 | 5,205 € | 10,41 € |
| 50 - 98 | 4,56 € | 9,12 € |
| 100 + | 4,335 € | 8,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 791-7425
- Référence fabricant:
- IXGP20N120B3
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.