Références fabricant

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 200 A 600 V, 4-Pin ISOTOP, Clamp

N° de stock RS:: 686-8348P
Référence fabricant:: STGE200NB60S
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 200 A 600 V, 4-Pin ISOTOP, Clamp

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total 10 unités (conditionné en tube)*

222,70 €

(TVA exclue)

269,50 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

Plus 576 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
10 - 99	22,27 €
100 +	22,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 686-8348P
Référence fabricant:: STGE200NB60S
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	600W
	Package Type	ISOTOP
	Mount Type	Clamp
	Channel Type	Type N
	Pin Count	4
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.6V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	ECOPACK, JESD97
	Height	12.2mm
	Length	38.2mm
	Series	Powermesh
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 600W
	Package Type ISOTOP
	Mount Type Clamp
	Channel Type Type N
	Pin Count 4
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals ECOPACK, JESD97
	Height 12.2mm
	Length 38.2mm
	Series Powermesh
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.