Références fabricant

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 10 A 375 V, 3-Pin TO-263, Surface

N° de stock RS:: 686-8341P
Référence fabricant:: STGB10NB37LZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 10 A 375 V, 3-Pin TO-263, Surface

Sous-total 2 unités (conditionné en bande continue)*

5,09 €

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N° de stock RS:: 686-8341P
Référence fabricant:: STGB10NB37LZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	10A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	375V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	8μs
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	12 V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	28.9mm
	Height	4.6mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 10A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 375V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 8μs
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 12 V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 28.9mm
	Height 4.6mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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