Références fabricant

Vishay VS-GT200TS065N, N-Channel Half Bridge IGBT, 193 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel

N° de stock RS:: 276-6406
Référence fabricant:: VS-GT200TS065N
Fabricant:: Vishay

Vishay VS-GT200TS065N, N-Channel Half Bridge IGBT, 193 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel

Sous-total (1 boîte de 15 unités)*

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N° de stock RS:: 276-6406
Référence fabricant:: VS-GT200TS065N
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Maximum Continuous Collector Current Ic	193A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	517W
	Number of Transistors	2
	Package Type	INT-A-PAK
	Configuration	Half Bridge
	Mount Type	Panel
	Channel Type	N
	Pin Count	7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.3V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	30mm
	Length	94.4mm
	Width	35.4mm
	Standards/Approvals	UL E78996
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Maximum Continuous Collector Current Ic 193A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 517W
	Number of Transistors 2
	Package Type INT-A-PAK
	Configuration Half Bridge
	Mount Type Panel
	Channel Type N
	Pin Count 7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.3V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 30mm
	Length 94.4mm
	Width 35.4mm
	Standards/Approvals UL E78996
	Automotive Standard No

Datasheet - VS-GT200TS065N

Pays d'origine :: IT

The Vishay IGBT features Gen 4 FRED Pt technology anti parallel diodes with ultra soft reverse recovery characteristics. It is optimized for high current inverter stages (AC TIG welding machines).

UL approved

Very low conduction losses

Low EMI

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