Vishay VS-GT100TS065S, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 247 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel
- N° de stock RS:
- 276-6403P
- Référence fabricant:
- VS-GT100TS065S
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|
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- N° de stock RS:
- 276-6403P
- Référence fabricant:
- VS-GT100TS065S
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 247A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Package Type | INT-A-PAK | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.05V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL E78996 | |
| Length | 94.4mm | |
| Height | 30mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 247A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Package Type INT-A-PAK | ||
Configuration Half Bridge | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.05V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL E78996 | ||
Length 94.4mm | ||
Height 30mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IT
The Vishay IGBT features Gen 4 FRED Pt technology anti parallel diodes with ultra soft reverse recovery characteristics. It is optimized for high current inverter stages (AC TIG welding machines).
UL approved
Very low conduction losses
Low EMI
