Vishay VS-GT100TS065N, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 96 A 650 V, 7-Pin INT-A-PAK, Panel
- N° de stock RS:
- 276-6401P
- Référence fabricant:
- VS-GT100TS065N
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 276-6401P
- Référence fabricant:
- VS-GT100TS065N
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 96A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 259W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Package Type | INT-A-PAK | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.3V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL E78996 | |
| Length | 94.4mm | |
| Height | 30mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 96A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 259W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Half Bridge | ||
Package Type INT-A-PAK | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.3V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL E78996 | ||
Length 94.4mm | ||
Height 30mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IT
The Vishay IGBT features Gen 4 FRED Pt technology anti parallel diodes with ultra soft reverse recovery characteristics. It is optimized for high current inverter stages (AC TIG welding machines).
UL approved
Very low conduction losses
Low EMI