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STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 261-5072P
Référence fabricant:: STGWA80H65DFBAG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 261-5072P
Référence fabricant:: STGWA80H65DFBAG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	80A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	535W
	Package Type	TO-247
	Pin Count	3
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.8mm
	Series	STGWA
	Height	5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 80A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 535W
	Package Type TO-247
	Pin Count 3
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.8mm
	Series STGWA
	Height 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STGWA80H65DFBAG

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High-speed switching series

Maximum junction temperature TJ is 175 degree C

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Positive temperature VCE(sat) coefficient

Soft and very fast recovery antiparallel diode

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