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Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, N-Channel IGBT, 80 A 1.42 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

N° de stock RS:: 257-9262
Référence fabricant:: IKZ75N65ES5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, N-Channel IGBT, 80 A 1.42 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:: 257-9262
Référence fabricant:: IKZ75N65ES5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	80A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1.42V
	Maximum Power Dissipation Pd	395W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	4
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.75V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±30 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 80A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.42V
	Maximum Power Dissipation Pd 395W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 4
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.75V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC
	Automotive Standard No

Datasheet - IKZ75N65ES5XKSA1

The Infineon IKZ series is the 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO 247 package. Hard-switching 650 V, 75 A high speed TRENCHSTOP 5 S5 IGBT in TO 247-4 package with an extra Kelvin emitter pin. The TO 247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP 5 IGBT to the next level of best in class switching performance.

Very low control inductance loop

Extra emitter pin, the forth package pin, for driver feedback

Same creepage distance of collector emitter as standard TO 247 package

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