Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 80 A 1.42 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

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257-9262
Référence fabricant:
IKZ75N65ES5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1.42V

Maximum Power Dissipation Pd

395W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.75V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon IKZ series is the 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO 247 package. Hard-switching 650 V, 75 A high speed TRENCHSTOP 5 S5 IGBT in TO 247-4 package with an extra Kelvin emitter pin. The TO 247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP 5 IGBT to the next level of best in class switching performance.

Very low control inductance loop

Extra emitter pin, the forth package pin, for driver feedback

Same creepage distance of collector emitter as standard TO 247 package

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