Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1 IGBT, 200 A 1200 V
- N° de stock RS:
- 253-9829
- Référence fabricant:
- FP200R12N3T7B11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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2 088,51 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 + | 208,851 € | 2 088,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 253-9829
- Référence fabricant:
- FP200R12N3T7B11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 200 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
The Infineon FP200bis a EconoPIM 3 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC.
Overload operation up to 175°C
Low VCEsat
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT contact technology
Copper base plate
Low VCEsat
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT contact technology
Copper base plate
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