Infineon IGBT 1200 V
- N° de stock RS:
- 253-9815
- Référence fabricant:
- FF900R12ME7WB11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 6 unités)*
1 556,418 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 6 + | 259,403 € | 1 556,42 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 253-9815
- Référence fabricant:
- FF900R12ME7WB11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.8V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 17mm | |
| Length | 152mm | |
| Width | 62 mm | |
| Series | FF900R12ME7WB11 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 17mm | ||
Length 152mm | ||
Width 62 mm | ||
Series FF900R12ME7WB11 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon FF900 series is a EconoDUAL 3 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC.
Integrated temperature sensor
VCEsat with positive temperature coefficient
High power density
Isolated base plate
PressFIT contact technology
Standard housing
Direct-cooled base plate
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