Infineon FF750R17ME7DB11BPSA1 IGBT Module, 750 A 1700 V

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N° de stock RS:
250-0224
Référence fabricant:
FF750R17ME7DB11BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

750 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Number of Transistors

2

The Infineon EconoDUAL™ 3 1700 V, 750 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with enlarged emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Integrated temperature sensor
High current density
Low VCE, sat
Overload operation up to 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, sat with positive temperature coefficient
Enlarged diode for regenerative operation
High power density
Isolated base plate
PressFIT contact technology
Standard housing

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