Références fabricant

Infineon IGBT, 200 A 750 V TO-247

N° de stock RS:: 248-6656
Référence fabricant:: AIKQ200N75CP2XKSA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 tube de 240 unités)*

1 653,12 €

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2 000,16 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
240 +	6,888 €	1 653,12 €

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N° de stock RS:: 248-6656
Référence fabricant:: AIKQ200N75CP2XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	750V
	Package Type	TO-247
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	41.2mm
	Height	5.1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 200A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V
	Package Type TO-247
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 41.2mm
	Height 5.1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AIKQ200N75CP2XKSA1

The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.

Self limiting current under short circuit condition

Positive thermal coefficient and very tight parameter distribution for easy paralleling

Excellent current sharing in parallel operation

Smooth switching characteristics, low EMI signature

Low gate charge

Simple gate drive design

High reliability

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