STMicroelectronics STGYA50M120DF3 Single IGBT, 100 A 1200 V Max247
- N° de stock RS:
- 248-4896P
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 - 9 | 7,24 € |
| 10 - 24 | 6,50 € |
| 25 - 49 | 5,86 € |
| 50 + | 5,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 248-4896P
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 535 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | Max247 | |
| Configuration | Single | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 100 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 535 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type Max247 | ||
Configuration Single | ||
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low loss and the short circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCEsat temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature of 175 degree C
10 μs of short circuit withstand time
Low VCEsat
Tight parameter distribution
Positive VCEsat temperature coefficient
Low thermal resistance
Soft and fast recovery antiparallel diode
10 μs of short circuit withstand time
Low VCEsat
Tight parameter distribution
Positive VCEsat temperature coefficient
Low thermal resistance
Soft and fast recovery antiparallel diode