Infineon IGBT Module, 100 A 950 V EasyPACK

Sous-total (1 plateau de 8 unités)*

1 015,968 €

(TVA exclue)

1 229,32 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 8 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
8 +126,996 €1 015,97 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
248-1203
Référence fabricant:
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

100A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

950V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

EasyPACK

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.53V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

60068, IEC 60747, 60749

Series

TRENCHSTOPTM IGBT7

Automotive Standard

No

The Infineon makes this EasyPACK 3B 950 V, 200 A dual boost IGBT module with 1200 V CoolSiC diode, TRENCHSTOP IGBT7, NTC and PressFIT contact technology. Together with F3L400R10W3S7F_B11 and F3L400R10W3S7_B11, it provides a total solution for 1500 V 3-phase PV string inverters. This device enables MPPT inputs with rated current of 26 A at 16 kHz switching frequency. It is designed for fuse less MPPT input with two strings in parallel. It is compatible with bifacial PV modules with 400 W+ rated power. It provides enough creepage distance and is tested according to necessary isolation requirement. The solder-less, fast assembly process to form reliable connection thanks to PressFIT terminals.

1200 V CoolSiC diodes reduces switching loss of IGBT

Dual boost topology, 3 MPPT circuits in one module

Bypass diodes and reverse polarity protection diodes are integrated for each MPPT circuit

Liens connexes