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onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface

N° de stock RS:: 245-6971
Référence fabricant:: NXH300B100H4Q2F2SG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface

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N° de stock RS:: 245-6971
Référence fabricant:: NXH300B100H4Q2F2SG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1000V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Package Type	Q2BOOST-PIM53
	Mount Type	Surface
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	NXH300B100H4Q2F2SG
	Height	17.6mm
	Length	93.1mm
	Width	47.3 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1000V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Package Type Q2BOOST-PIM53
	Mount Type Surface
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series NXH300B100H4Q2F2SG
	Height 17.6mm
	Length 93.1mm
	Width 47.3 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH300B100H4Q2F2SG

The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a high−density, integrated power module combines high performance IGBTs with 1200 V SiC diode.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

Low Switching loss reduces system power dissipation

Module design offers high power density

Low inductive layout

3 channel in Q2BOOST package

These are Pb free devices

onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface

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