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onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT Module 1 kV Q2BOOST-PIM53, Surface

N° de stock RS:: 245-6971
Référence fabricant:: NXH300B100H4Q2F2SG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT Module 1 kV Q2BOOST-PIM53, Surface

Sous-total (1 unité)*

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N° de stock RS:: 245-6971
Référence fabricant:: NXH300B100H4Q2F2SG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1kV
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Number of Transistors	6
	Package Type	Q2BOOST-PIM53
	Mount Type	Surface
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	47.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	NXH300B100H4Q2F2SG
	Height	17.6mm
	Length	93.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1kV
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Number of Transistors 6
	Package Type Q2BOOST-PIM53
	Mount Type Surface
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 47.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series NXH300B100H4Q2F2SG
	Height 17.6mm
	Length 93.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH300B100H4Q2F2SG

The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a high−density, integrated power module combines high performance IGBTs with 1200 V SiC diode.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

Low Switching loss reduces system power dissipation

Module design offers high power density

Low inductive layout

3 channel in Q2BOOST package

These are Pb free devices

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