Infineon IKN03N60RC2ATMA1 IGBT, 5.7 A 600 V PG-SOT223-3
- N° de stock RS:
- 240-8528
- Référence fabricant:
- IKN03N60RC2ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
3,95 €
(TVA exclue)
4,80 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 2 980 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,79 € | 3,95 € |
| 50 - 120 | 0,68 € | 3,40 € |
| 125 - 245 | 0,632 € | 3,16 € |
| 250 - 495 | 0,584 € | 2,92 € |
| 500 + | 0,544 € | 2,72 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 240-8528
- Référence fabricant:
- IKN03N60RC2ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 5.7 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 6.3 W | |
| Package Type | PG-SOT223-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 5.7 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 6.3 W | ||
Package Type PG-SOT223-3 | ||
The Infineon RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete in PG- SOT-223 package. The RC-D2 with the monolithically integrated diode offers improvements of the performance, controllability and reliability compared to the RC-DF. It provides low switching loses on competitive price and is asy to design in products – drop in SMD replacement in DPAK and SOT-223 with high system reliability.
Improved controllability
Operating range of 1 to 20 kHz
Humidity robust design
Maximum junction temperature 150°C
Short circuit capability of 3 μs
Very tight parameter distribution
Pb free lead plating, RoHs compliant
Complete product spectrum and SPICE models
Operating range of 1 to 20 kHz
Humidity robust design
Maximum junction temperature 150°C
Short circuit capability of 3 μs
Very tight parameter distribution
Pb free lead plating, RoHs compliant
Complete product spectrum and SPICE models
Liens connexes
- Infineon IKN03N60RC2ATMA1 IGBT, 5.7 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN04N60RC2ATMA1 IGBT, 7.5 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN06N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN01N60RC2ATMA1 IGBT, 2.2 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN01N60RC2ATMA1 Single IGBT 3-Pin PG-SOT223-3, Surface Mount
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1
- Infineon IPN MOSFET 3-Pin PG-SOT223
