STMicroelectronics STGYA75H120DF2, Type N-Channel IGBT, 150 A 1200 V, 3-Pin Max247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 234-8894P
- Référence fabricant:
- STGYA75H120DF2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 - 9 | 7,51 € |
| 10 - 24 | 6,76 € |
| 25 - 49 | 6,31 € |
| 50 + | 6,16 € |
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- N° de stock RS:
- 234-8894P
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- STGYA75H120DF2
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 150A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 750W | |
| Package Type | Max247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 150A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 750W | ||
Package Type Max247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode