Infineon FP25R12W2T7B11BPSA1 Hex IGBT, 25 A 1200 V, 23-Pin EasyPIM
- N° de stock RS:
- 226-6059
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 47,41 € |
| 2 - 4 | 45,04 € |
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| 10 - 24 | 41,24 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 226-6059
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Package Type | EasyPIM | |
| Configuration | Hex | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 23 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 25 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Package Type EasyPIM | ||
Configuration Hex | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 23 | ||
The Infineon 25 A PIM IGBT module has compact design and used PRESSFIT contact technology. It has low on state voltage VCEsat.
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
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