STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247 LL, Through Hole

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201-4418P
Référence fabricant:
STGWA30HP65FB2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Package Type

TO-247 LL

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.9mm

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.1mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package, has a positive VCE(sat) temperature coefficient.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

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