ROHM RGTH00TS65DGC11 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
148-6969P
Référence fabricant:
RGTH00TS65DGC11
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Maximum Continuous Collector Current

85 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

277 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247N

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16 x 5 x 21mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Gate Capacitance

106pF

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Low Collector - Emitter Saturation Voltage High Speed Switching Low Switching Loss & Soft Switching Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)Pb - free Lead Plating, RoHS Compliant

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