Starpower GD75HFU120C1SD, N-Channel Dual IGBT Module, 75 A 1200 V, 7-Pin Module
- N° de stock RS:
- 427-797
- Référence fabricant:
- GD75HFU120C1SD
- Fabricant:
- Starpower
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 484W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Dual | |
| Package Type | Module | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 3.25V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 484W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Dual | ||
Package Type Module | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.25V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Starpower IGBT Power Module provides ultra switching speed as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as electronic welder and inductive heating.
Low switching losses
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Low inductance case
Fast and soft reverse recovery anti parallel FWD
Isolated copper baseplate using DBC technology
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