Starpower GD200HFX65C1S, N-Channel Dual IGBT Power Module, 250 A, 7-Pin Module
- N° de stock RS:
- 427-772
- Référence fabricant:
- GD200HFX65C1S
- Fabricant:
- Starpower
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- N° de stock RS:
- 427-772
- Référence fabricant:
- GD200HFX65C1S
- Fabricant:
- Starpower
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Product Type | IGBT Power Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 250A | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 612W | |
| Package Type | Module | |
| Configuration | Dual | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Product Type IGBT Power Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 250A | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 612W | ||
Package Type Module | ||
Configuration Dual | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Starpower IGBT Power Module provides ultralow conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS.
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Maximum junction temperature 175°C
Low inductance case
Fast and soft reverse recovery anti parallel FWD
Isolated copper baseplate using DBC technology
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