ROHM RGT8BM65DGTL1, N-Channel IGBT, 8 A 650 V, 3-Pin TO-252GE, Surface
- N° de stock RS:
- 265-325
- Référence fabricant:
- RGT8BM65DGTL1
- Fabricant:
- ROHM
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 100 de plus pour économiser 5%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
13,20 €
(TVA exclue)
16,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 2 480 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* | Économie |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,32 € | 13,20 € | - |
| 100 - 240 | 1,254 € | 12,54 € | 5% |
| 250 + | 1,162 € | 11,62 € | 11% |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-325
- Référence fabricant:
- RGT8BM65DGTL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 8A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Package Type | TO-252GE | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | RFN | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 8A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Package Type TO-252GE | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series RFN | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM IGBT contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high current applications. The IGBT features a low collector to emitter saturation voltage, making it highly efficient for various applications. It offers a short circuit withstand time of 5 microseconds, ensuring robust performance under fault conditions. Additionally, it is equipped with a built in very fast and soft recovery fast recovery diode from the RFN series.
Low Switching Loss
Pb free lead plating
RoHS compliant
Liens connexes
- ROHM RGW40TS65GC13 40 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW80TS65DHRC11 80 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW80TS65CHRC11 40 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65HRC11 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTV80TS65GC13 40 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTVX6TS65DGC13 80 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW00TS65DGC13 50 A 650 V Through Hole
- ROHM RGTV80TK65DGVC11 23 A 650 V Through Hole
