IXYS IXGH40N120B2D1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 192-988
- Référence fabricant:
- IXGH40N120B2D1
- Fabricant:
- IXYS
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 5 - 19 | 15,10 € |
| 20 - 49 | 14,45 € |
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- N° de stock RS:
- 192-988
- Référence fabricant:
- IXGH40N120B2D1
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Maximum Continuous Collector Current 75 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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