Références fabricant

Infineon Gate Driver 1, 20 A 20-Pin 5.5V, DSO

N° de stock RS:: 232-3032
Référence fabricant:: 1EDI3030ASXUMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon Gate Driver 1, 20 A 20-Pin 5.5V, DSO

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

2 381,00 €

(TVA exclue)

2 881,00 €

(TVA incluse)

Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard

Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	2,381 €	2 381,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 232-3032
Référence fabricant:: 1EDI3030ASXUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	General Purpose Driver
	Output Current	20A
	Pin Count	20
	Fall Time	45ns
	Package Type	DSO
	Number of Outputs	4
	Driver Type	General Purpose
	Rise Time	55ns
	Minimum Supply Voltage	5.5V
	Maximum Supply Voltage	5.5V
	Number of Drivers	1
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	7.5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.4mm
	Series	1EDI3030AS
	Height	2.65mm
	Mount Type	Surface
	Automotive Standard	AEC-Q100

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type General Purpose Driver
	Output Current 20A
	Pin Count 20
	Fall Time 45ns
	Package Type DSO
	Number of Outputs 4
	Driver Type General Purpose
	Rise Time 55ns
	Minimum Supply Voltage 5.5V
	Maximum Supply Voltage 5.5V
	Number of Drivers 1
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 7.5mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.4mm
	Series 1EDI3030AS
	Height 2.65mm
	Mount Type Surface
	Automotive Standard AEC-Q100

Datasheet - 1EDI3030ASXUMA1

The Infineon has automotive qualified single channel high voltage gate driver optimized for SiC MOSFET. The 1EDI3030AS uses robust Infineon coreless transformer technology to provide bi-directional signal transfer across the galvanic isolation barrier. The compact package design and high level of feature integration save valuable PCB space and system cost, while pre-configured settings reduce design efforts.

For SiC-MOSFETs up to 1200 V

Propagation delay 60 ns typical

Redundant DESAT and OCP protection

Gate and output stage monitoring

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.