Infineon MOSFET Gate Driver, 290 mA 8-Pin 20 V, SOIC

Voir l’ensemble des Gate Drivers

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 515,00 €

(TVA exclue)

1 832,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,606 €1 515,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
226-6193
Référence fabricant:
IRS2118STRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Output Current

290mA

Pin Count

8

Fall Time

65ns

Package Type

SOIC

Number of Outputs

5

Driver Type

MOSFET

Rise Time

75ns

Minimum Supply Voltage

20V

Maximum Supply Voltage

20V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.75mm

Series

IRS

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Infineon IRS2118 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized mono­lithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side or low-side configuration which operates up to 600 V.

Gate drive supply range from 10 V to 20V

Undervoltage lockout

CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

Output in phase with input

Liens connexes