onsemi, IGBT, 1.9 A 8-Pin 20 V, SOIC
- N° de stock RS:
- 221-6601
- Référence fabricant:
- NCD57201DR2G
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 402,50 €
(TVA exclue)
1 697,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,561 € | 1 402,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 221-6601
- Référence fabricant:
- NCD57201DR2G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Output Current | 1.9A | |
| Pin Count | 8 | |
| Fall Time | 8ns | |
| Package Type | SOIC | |
| Driver Type | IGBT | |
| Rise Time | 13ns | |
| Minimum Supply Voltage | 20V | |
| Maximum Supply Voltage | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.75mm | |
| Mount Type | Surface | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT Module | ||
Output Current 1.9A | ||
Pin Count 8 | ||
Fall Time 8ns | ||
Package Type SOIC | ||
Driver Type IGBT | ||
Rise Time 13ns | ||
Minimum Supply Voltage 20V | ||
Maximum Supply Voltage 20V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.75mm | ||
Mount Type Surface | ||
Automotive Standard AEC-Q100 | ||
The ON Semiconductor NCx57201 is a high voltage gate driver with one non−isolated low side gate driver and one galvanic ally isolated high or low side gate driver. It ca directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. It isolated high side driver can be powered with an isolated power supply or with bootstrap technique from the low side power supply.
Low output voltage drop for enhanced IGBT conduction
Floating channel for bootstrap operation up to +800 V
CMTI up to 100 kV/s
Reliable operation for VS negative swing to −800 V