Références fabricant

Infineon 128 kB SPI FRAM 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 124-2985P
Référence fabricant:: FM25V01A-G
Fabricant:: Infineon

Sous-total 2 unités (conditionné en tube)*

7,96 €

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N° de stock RS:: 124-2985P
Référence fabricant:: FM25V01A-G
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Memory Size	128kB
	Product Type	FRAM
	Interface Type	SPI
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	16ns
	Mount Type	Surface
	Maximum Clock Frequency	40MHz
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Standards/Approvals	No
	Length	4.97mm
	Height	1.38mm
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Number of Words	16k
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Number of Bits per Word	8
	Automotive Standard	AEC-Q100
	Maximum Supply Voltage	3.6V
	Minimum Supply Voltage	2V

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Memory Size 128kB
	Product Type FRAM
	Interface Type SPI
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 16ns
	Mount Type Surface
	Maximum Clock Frequency 40MHz
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Standards/Approvals No
	Length 4.97mm
	Height 1.38mm
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Number of Words 16k
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Number of Bits per Word 8
	Automotive Standard AEC-Q100
	Maximum Supply Voltage 3.6V
	Minimum Supply Voltage 2V

FM25V01A-G Datasheet

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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