Infineon NOR 128Mbit Quad-SPI Flash Memory 8-Pin WSON, S25FL128LAGNFI010

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 3 unités)*

5,541 €

(TVA exclue)

6,705 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 327 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
3 - 271,847 €5,54 €
30 - 721,703 €5,11 €
75 - 1471,557 €4,67 €
150 - 2971,443 €4,33 €
300 +1,32 €3,96 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
181-1593
Référence fabricant:
S25FL128LAGNFI010
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Memory Size

128Mbit

Interface Type

Quad-SPI

Package Type

WSON

Pin Count

8

Organisation

16M x 8 bit

Mounting Type

Surface Mount

Cell Type

NOR

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Block Organisation

Symmetrical

Length

5.28mm

Height

1.9mm

Width

5.28mm

Dimensions

5.28 x 5.28 x 1.9mm

Maximum Random Access Time

8ns

Automotive Standard

AEC-Q100

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Number of Bits per Word

8bit

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Words

16M

Series

S25FL

2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically

organized as 256 K x 8

High-endurance 10 trillion (1014) read/writes

121-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

Very fast serial peripheral interface (SPI)

Up to 33 MHz frequency

Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM

Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)

Sophisticated write protection scheme

Hardware protection using the Write Protect (WP) pin

Software protection using Write Disable instruction

Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array

Device ID

Manufacturer ID and Product ID

Low power consumption

3 mA active current at 33 MHz

400 A standby current

12 A sleep mode current

Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V

Extended temperature: –40 °C to +105 °C

8-pin thin dual flat no leads (DFN) package

Liens connexes