onsemi MJD117G PNP Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

N° de stock RS:: 790-5328
Référence fabricant:: MJD117G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD117G PNP Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

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N° de stock RS:: 790-5328
Référence fabricant:: MJD117G
Fabricant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	PNP
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Length	6.73mm
Maximum Power Dissipation	20 W
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Width	6.22mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Height	2.38mm

onsemi MJD117G PNP Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

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PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

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