onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

N° de stock RS:: 790-5315
Référence fabricant:: MJD112-1G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Price L'unité (en paquet de 15)**

0,595 €

(TVA exclue)

0,72 €

(TVA incluse)

15 En stock, livraison sous 1 jour(s) (stock Europe)*

105 En stock, livraison sous 3 à 5 jours (stock Europe)

* Les dates de livraison peuvent varier selon la quantité choisie et l'adresse de livraison.

FRAIS de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Unité	Prix par unité	le paquet**
15 +	0,595 €	8,925 €

**Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 790-5315
Référence fabricant:: MJD112-1G
Fabricant:: onsemi

Datasheet - MJD112-1G
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	2.38mm
Maximum Power Dissipation	20 W
Height	6.35mm
Dimensions	6.73 x 2.38 x 6.35mm

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

FRAIS de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards