onsemi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 781-4279
Référence fabricant:: MMBTA13LT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

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N° de stock RS:: 781-4279
Référence fabricant:: MMBTA13LT1G
Fabricant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	2
Minimum DC Current Gain	5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current	100nA
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.01mm
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.01mm
Length	3.04mm
Width	1.4mm

onsemi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

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NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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