onsemi MJD117T4G PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

N° de stock RS:: 688-1505
Référence fabricant:: MJD117T4G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD117T4G PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

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2 - 8	0,535 €	1,07 €
10 - 98	0,425 €	0,85 €
100 - 498	0,315 €	0,63 €
500 - 998	0,26 €	0,52 €
1000 +	0,255 €	0,51 €

**Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 688-1505
Référence fabricant:: MJD117T4G
Fabricant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	PNP
Maximum Continuous Collector Current	4 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.02mA
Width	6.22mm
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Height	2.38mm

onsemi MJD117T4G PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

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PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

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