onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

N° de stock RS:: 178-4811
Référence fabricant:: MJD112-1G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Unité	Prix par unité	le tube**
75 - 75	0,508 €	38,10 €
150 - 300	0,478 €	35,85 €
375 +	0,457 €	34,275 €

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N° de stock RS:: 178-4811
Référence fabricant:: MJD112-1G
Fabricant:: onsemi

Datasheet - MJD112-1G

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Maximum Power Dissipation	20 W
Width	2.38mm
Height	6.35mm
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Dimensions	6.73 x 2.38 x 6.35mm

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

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NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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