onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

N° de stock RS:: 163-0033
Référence fabricant:: MJ11012G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

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N° de stock RS:: 163-0033
Référence fabricant:: MJ11012G
Fabricant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	TO-204AA
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	2
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	2
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	5 V
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Dimensions	21.08 (Dia.) x 8.51mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	8.51mm
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Maximum Power Dissipation	200 W

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

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NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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