onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204

N° de stock RS:: 125-0063
Référence fabricant:: MJ11032G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204

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N° de stock RS:: 125-0063
Référence fabricant:: MJ11032G
Fabricant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Collector Emitter Voltage	120 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	TO-204
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	2
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	400
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4.5 V
Maximum Collector Base Voltage	120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3.5 V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Power Dissipation	300 W
Width	26.67mm
Dimensions	38.86 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Height	8.51mm
Length	38.86mm

onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204

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NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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