onsemi MJD122T4G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

N° de stock RS:: 463-189P
Référence fabricant:: MJD122T4G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD122T4G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

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Référence fabricant:: MJD122T4G
Fabricant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	8 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4.5 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.01mA
Width	6.22mm
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Height	2.38mm
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.73mm

onsemi MJD122T4G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

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NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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