onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

N° de stock RS:: 463-016P
Référence fabricant:: MJD112T4G
Fabricant:: onsemi

onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

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Référence fabricant:: MJD112T4G
Fabricant:: onsemi

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power Transistors
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	4 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.02mA
Width	6.22mm
Length	6.73mm
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Height	2.38mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C

onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

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NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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