onsemi NST65010MW6T1G Transistor, -100 mA PNP, -65 V, 6-Pin SOT-363
- N° de stock RS:
- 920-9887
- Référence fabricant:
- NST65010MW6T1G
- Fabricant:
- onsemi
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- Référence fabricant:
- NST65010MW6T1G
- Fabricant:
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -100mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -65V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -80V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 380mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 0.9 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -5V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 100MHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 6 | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -100mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -65V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -80V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 380mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 0.9 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -5V | ||
Maximum Transition Frequency ft 100MHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 6 | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual Matched Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (VBE) and Current Gain (hFE).
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