onsemi KSD2012GTU Transistor, 3 A NPN, 60 V, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 806-2762
- Référence fabricant:
- KSD2012GTU
- Fabricant:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 806-2762
- Référence fabricant:
- KSD2012GTU
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 3A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 60V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 7V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 20 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 25.55mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 3A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 60V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 20 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 25.55mm | ||
Length 10.16mm | ||
Width 4.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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