Nexperia PBSS8110X,135 Transistor, 1 A NPN, 100 V, 3-Pin SOT-89

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N° de stock RS:
801-5643
Référence fabricant:
PBSS8110X,135
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

1A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Package Type

SOT-89

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

120V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Minimum DC Current Gain hFE

80

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Transition Frequency ft

100MHz

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Series

PBSS8110X

Standards/Approvals

No

Length

4.6mm

Height

1.6mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
HK

Low Saturation Voltage NPN Transistors


A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia


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