Références fabricant

Nexperia PBSS4041PZ,115 Transistor, -5.7 A PNP, -60 V, 4-Pin SOT-223

N° de stock RS:: 801-5634
Référence fabricant:: PBSS4041PZ,115
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBSS4041PZ,115 Transistor, -5.7 A PNP, -60 V, 4-Pin SOT-223

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N° de stock RS:: 801-5634
Référence fabricant:: PBSS4041PZ,115
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-5.7A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-60V
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	-60V
	Transistor Polarity	PNP
	Maximum Power Dissipation Pd	2.6W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	-5V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Minimum DC Current Gain hFE	120
	Maximum Transition Frequency ft	100MHz
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Height	1.8mm
	Series	PBSS4041PZ
	Width	3.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -5.7A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO -60V
	Transistor Polarity PNP
	Maximum Power Dissipation Pd 2.6W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO -5V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Minimum DC Current Gain hFE 120
	Maximum Transition Frequency ft 100MHz
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Height 1.8mm
	Series PBSS4041PZ
	Width 3.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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