Références fabricant

Nexperia PBSS8110Z,135 Transistor, 1 A NPN, 100 V, 4-Pin SOT-223

N° de stock RS:: 518-2107
Référence fabricant:: PBSS8110Z,135
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBSS8110Z,135 Transistor, 1 A NPN, 100 V, 4-Pin SOT-223

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N° de stock RS:: 518-2107
Référence fabricant:: PBSS8110Z,135
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	100V
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	120V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Maximum Transition Frequency ft	100MHz
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Minimum DC Current Gain hFE	80
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	7.3mm
	Series	PBSS8110Z
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Height	1.65mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 120V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Maximum Transition Frequency ft 100MHz
	Transistor Polarity NPN
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Minimum DC Current Gain hFE 80
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 7.3mm
	Series PBSS8110Z
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Height 1.65mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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