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Nexperia PBSS8110Z,135 Transistor, 1 A NPN, 100 V, 4-Pin SOT-223

N° de stock RS:: 518-2107
Référence fabricant:: PBSS8110Z,135
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBSS8110Z,135 Transistor, 1 A NPN, 100 V, 4-Pin SOT-223

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N° de stock RS:: 518-2107
Référence fabricant:: PBSS8110Z,135
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	100V
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	120V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Transition Frequency ft	100MHz
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Minimum DC Current Gain hFE	80
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Height	1.65mm
	Series	PBSS8110Z
	Width	7.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 120V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Transition Frequency ft 100MHz
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Minimum DC Current Gain hFE 80
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Height 1.65mm
	Series PBSS8110Z
	Width 7.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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