Nexperia PBSS5230T,215 Transistor, -2 A PNP, -30 V, 3-Pin SOT-23

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518-1839
Référence fabricant:
PBSS5230T,215
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

-2A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

-30V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

30V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V

Minimum DC Current Gain hFE

100

Maximum Transition Frequency ft

200MHz

Maximum Power Dissipation Pd

480mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Series

PBSS5230T

Standards/Approvals

RoHS

Width

2.5mm

Height

1.1mm

Length

3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Low Saturation Voltage PNP Transistors


A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia


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