onsemi NJVMJK31CTWG Bipolar Transistor, 3 A NPN, 100 V dc, 4-Pin SOT-669
- N° de stock RS:
- 284-9056
- Référence fabricant:
- NJVMJK31CTWG
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 284-9056
- Référence fabricant:
- NJVMJK31CTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 3A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V dc | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.7W | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.25mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.3mm | |
| Length | 5mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 3A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V dc | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.7W | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.25mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.3mm | ||
Length 5mm | ||
The ON Semiconductor bipolar junction transistors are designed for general purpose power and switching applications such as regulators, converters and power amplifiers. Housed in advanced LFPAK package with excellent thermal conduction. Automotive end applications include air bag deployment, power train control units, and instrument clusters.
Complementary PNP MJK32C
These devices are Pb free and halogen free
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