Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 259-1447
- Référence fabricant:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
606,00 €
(TVA exclue)
732,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 17 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,202 € | 606,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,192 € | 576,00 € |
| 9000 + | 0,18 € | 540,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1447
- Référence fabricant:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 45mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 13V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 44GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.55mm | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 1.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 45mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 13V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Maximum Transition Frequency ft 44GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.55mm | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 1.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT), It is wireless communications: WLAN, WiMax and UWB.
Low noise figure NFmin 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
High gain Gms 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
OIP3 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
Liens connexes
- Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP740FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP650FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343