onsemi MSD42WT1G Digital Transistor, 300 V NPN 150 mA Surface, 3-Pin
- N° de stock RS:
- 186-8945
- Référence fabricant:
- MSD42WT1G
- Fabricant:
- onsemi
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- 186-8945
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 300V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 300V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 450mW | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 150mA | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 40 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 6V dc | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 0.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Length | 2.4mm | |
| Width | 1.35mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 300V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 300V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 450mW | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 150mA | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 40 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V dc | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 0.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Length 2.4mm | ||
Width 1.35mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package, which is designed for low power surface mount applications.
Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable