onsemi FDMC86262P Digital Transistor P-Channel Surface, 8-Pin
- N° de stock RS:
- 186-8211
- Référence fabricant:
- FDMC86262P
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 186-8211
- Référence fabricant:
- FDMC86262P
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Polarity | P-Channel | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.72mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Series | PowerTrench | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Polarity P-Channel | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.72mm | ||
Length 3.3mm | ||
Series PowerTrench | ||
Automotive Standard No | ||
This P-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on- state resistance and optimizad for superior switching performance.
Max rDS(on) = 307 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2 A
Max rDS(on) = 356 mΩ at VGS = -6 V, ID = -1.8 A
Very Low rDS(on) Mid Voltage P-Channel Silicon Technology Optimised for Low Qg
Optimised for Fast Switching Applications as well as Load Switch Applications
Applications
Industrial
Portable and Wireless
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