onsemi FJI5603DTU Digital Transistor, 800 V NPN Through Hole TO-262, 3-Pin
- N° de stock RS:
- 186-8073
- Référence fabricant:
- FJI5603DTU
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 186-8073
- Référence fabricant:
- FJI5603DTU
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | TO-262 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 800V | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 1600V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 20 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 12V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.29mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type TO-262 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 800V | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 1600V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 20 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 12V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.29mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
FJI5603D: NPN Silicon Transistor
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Built-in Free Wheeling Diode
High Voltage and High Speed Power Switch Application
Electronic Ballast Application
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.