onsemi MJH11019G Digital Transistor, -200 V PNP Through Hole SOT-93, 3-Pin

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186-8066
Référence fabricant:
MJH11019G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Package Type

SOT-93

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

-200V

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

150V

Transistor Polarity

PNP

Minimum DC Current Gain hFE

100

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Standards/Approvals

No

Height

20.35mm

Length

15.2mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) are complementary devices.

High DC Current Gain @ 10 Adc - hFE = 400 Min (All Types)

Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21

Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A

Monolithic Construction

Pb-Free Packages are Available

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